一、電鏡技術(shù)參數(shù)：
1電子光學(xué)
1.1電子槍類型：高分辨肖特基場發(fā)射電子槍
1.2加速電壓：200V-30kV
1.3電子著陸能量：20eV-30keV
*1.4束流大小：1pA-400nA連續(xù)可調(diào)，保證能譜高效工作
1.5透鏡（物鏡）幾何結(jié)構(gòu)：60°物鏡幾何結(jié)構(gòu)：支持傾斜較大的樣品（不規(guī)則樣品）
*1.6兼容磁性樣品
1.7光闌：自加熱物鏡光闌
1.8自動(dòng)烘烤、自動(dòng)啟動(dòng)、無需機(jī)械合軸
1.9 減速樣品臺(tái)
2分辨率
2.1高真空分辨率（STEM掃透模式）：0.6nm@30kV
2.2高真空分辨率（SE二次電子）：0.7nm@15kV
2.3高真空分辨率（SE二次電子）：0.8nm@1kV(樣品臺(tái)減速)
2.4高真空分辨率（SE二次電子）：1.0nm@1kV(不開樣品臺(tái)減速)
2.5 10mm分析工作距離分辨率：1.0nm@1kV
3探測系統(tǒng)
3.1 鏡筒內(nèi)BSE探頭（T1）
3.2 鏡筒內(nèi)SE探頭（T2）
3.3 鏡筒內(nèi)探測器 （T3）
3.4 常規(guī)SE探頭 （ETD）
3.5 紅外CCD（觀察樣品臺(tái)高度）
3.6 Nav-Cam智能導(dǎo)航相機(jī)
4真空系統(tǒng)
4.1泵的組成：1個(gè)PVP渦旋泵+1個(gè)分子泵+2個(gè)離子泵
*4.2抽真空時(shí)間：≤ 3.5 分鐘
5樣品倉
*5.1樣品倉內(nèi)徑：340mm
5.2接口：總共12個(gè)，可接能譜3個(gè)（1個(gè)35°,2個(gè)平行180°）
6樣品臺(tái)
6.1 五軸全對(duì)中馬達(dá)樣品臺(tái)，行程：X=110 mm，Y=110 mm，Z=65 mm
*6.2 傾斜Tilt(°)：-15 ~ +90，旋轉(zhuǎn)Rotation(°)：360°連續(xù)
6.3 樣品尺寸：可沿 X、 Y 軸旋轉(zhuǎn)時(shí)直徑為 122 mm，樣品高度 距共心點(diǎn) 85mm
6.4 分析工作距離：10mm
*6.5 多功能樣品臺(tái)：多用途標(biāo)準(zhǔn)支架，以方式直接安裝到載物臺(tái)，最多可支持 18 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái) (Ø12 mm)、3 個(gè)預(yù)先傾斜的樣品臺(tái)、切片樣品和不需要工具來安裝樣品
7軟件
7.1圖像輸出分辨率：65000x65000像素，8/16/24位深度BMP、JPG
7.2光柵掃描：駐留時(shí)間25ns到25ms/像素
*7.3智能掃描和漂移補(bǔ)償：SmartSCAN（256 幀平均或積分、線積分和平均法、隔行掃描），DCFI（漂移補(bǔ)償幀積分）
7.4控制：手動(dòng)/自動(dòng)控制亮度/對(duì)比度
7.5掃描方式：正常掃描、縮小光柵、定點(diǎn)、線掃描、掃描旋轉(zhuǎn)、傾斜校正
*7.6顯示方式和探測器通道數(shù)量：單幅或4幅圖像實(shí)時(shí)顯示，標(biāo)準(zhǔn)4通道，任意兩個(gè)探測器的輸入可混合
7.7配備Map3大視野關(guān)聯(lián)軟件
二、能譜儀參數(shù)：
技術(shù)指標(biāo)
1、(*)能譜探測器：采用CMOS內(nèi)置的Si3N4窗新型SDD探測器窗口，堅(jiān)固耐用，晶體有效活區(qū)面積30mm2，X射線信號(hào)透過率比傳統(tǒng)的聚合物材料提高35%以上。
2、(*)Si3N4新型窗口耐高壓大于8個(gè)大氣壓， 耐高溫大于650攝氏度，耐酸堿腐蝕，可等離子直接清洗。
3、(*) 脈沖譜儀處理板集成在探測器內(nèi)，無需獨(dú)立的譜儀箱，能譜儀硬件除了探測器和計(jì)算機(jī)無需其他部件。
4、分析元素范圍：Be4~Am95
5、(*)能量分辨率(Mn-Ka)：優(yōu)于127eV, 嚴(yán)格依照ISO15632國際標(biāo)準(zhǔn)測量
6、優(yōu)異的低能端分辨率： Al Lα to Al Kα 峰比率1:1
7、(*) 輸入計(jì)數(shù)率 200萬CPS，輸出計(jì)數(shù)率85萬CPS。
8、在0~200kcps范圍內(nèi)的分辨率穩(wěn)定性：> 90%
9、(*)能量分辨率和死時(shí)間實(shí)時(shí)顯示。
