| 參考價 | 面議 |
日立IM4000離子研磨儀利用氬離子對樣品進行無應力加工的理想工具，即可以進行平面加工，也可以進行截面切割，不會產(chǎn)生傳統(tǒng)的切割或機械拋光帶來的變形錯位、機械應力或劃痕污染等對樣品的形貌觀察和結構分析帶來的不利影響。
使用切片方式制備像紙張、纖維等軟材料截面樣品，容易使樣品變形錯位；機械拋光處理的樣品表面經(jīng)常也會留下劃痕、污染和表面應力，對樣品的形貌觀察和結構分析帶來不利影響。日立新推出的IM4000離子研磨儀既可以對樣品進行氬離子截面切割，可以進行氬離子平面研磨，是截面樣品制備和平面樣品無應力拋光的理想工具。
日立高新離子研磨裝置IM4000具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器！
日立高新離子研磨裝置IM4000的混合模式帶有兩種研磨配置：
斷面加工：將樣品斷面研磨光滑，便于表面以下結構高分辨成像。
平面研磨：將樣品表面均勻研磨5平方毫米，從不同角度有選擇地研磨，以便突出樣品的表面特性。
日立高新離子研磨裝置IM4000的高通量能提高加工效率：
與之前的E-3500型相比，采用新型離子槍設計，減少了橫截面研磨時間。（zui大加工率：硅元素為300微米/小時 — 加工時間減少了66%。
日立高新離子研磨裝置IM4000的可拆卸樣品臺裝置：為便于樣品設置和定義研磨邊緣，可將樣品臺裝置拆卸。
日立高新離子研磨裝置特點
混合模式：兩種研磨配置
斷面加工：將樣品斷面研磨光滑，便于表面高分辨觀察
平面研磨：不同角度有選擇地，大面積，均勻地研磨5 mm的平面，以突顯樣品的表面特性
高效：提高加工效率
與之前的E-3500型相比，采用新型離子槍設計，減少了橫截面研磨時間
(zui大加工速度：硅材質為300 μm/h - 加工時間減少了66%)
可拆卸式樣品臺：
為便于樣品設置和邊緣研磨，樣品臺設計為可拆卸型
| 項目 | 內(nèi)容 | |
| 平面研磨 | 截面研磨 | |
| 使用氣體 | 氬氣 | |
| 加速電壓 | 0 ～ 6 kV | |
| zui大加工速率（材料Si） | 約20 m/h＊1 約2 m/h＊2 | 約300 m/h＊3 |
| zui大樣品尺寸 | φ50×25（H）mm | 20（W）×12（D）×7（H）mm |
| 樣品移動范圍 | X : 0 ～ +5 mm | X :±7 mm、Y : 0 ～ +3 mm |
| 旋轉速度 | 1 r/min、 25 r/min | - |
| 擺動角度 | ±60°、±90° | ±15°、±30°、±40° |
| 傾斜角度 | 0～90° | - |
| 氬氣（Ar）流量控制方式 | 質量流量計（Mass Flow Controller） | |
| 真空系統(tǒng) | 渦輪分子泵（33 L/s）＋機械泵（135 L/min(50 Hz）、162 L/min（60 Hz）） | |
| 裝置尺寸 | 616（W）×705（D）×312（H）mm | |
| 重量 | 主機48 kg＋機械泵28 kg | |
| 選配 | ||
| 加工觀測用顯微鏡 | 倍率 ：15× ～ 100× 雙目型、三目型（可加裝CCD） | |
| 真空轉移盒單元 | 旋蓋式（O形圈密封）密閉樣品，樣品倉內(nèi)打開旋蓋 | |
| 冷卻系統(tǒng)＊4 | 使用液氮間接冷卻樣品 ；冷卻Mask溫度 ：-30℃以下＊5 ；配有恢復到室溫的控制器 | |
＊1 ：照射角 0° 偏心量 0 mm?。? ：照射角 60° 偏心量 4 mm ＊3 ：Si片突出遮擋板（Mask）邊緣100 m加工時的zui大深度 ?。? ：不能后裝，需出廠時配置 ?。? ：加入液氮30分鐘后遮擋板（Mask）的溫度
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