IGBT模塊測試設備測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著優(yōu)勢。它能夠全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的著越表現(xiàn)。
此外，普賽斯儀表功率半導體靜態(tài)參數(shù)測試解決方案還支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實現(xiàn)高效和可重復的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從皮安級、mV級高精度源表到千安級、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國內企業(yè)在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產(chǎn)化問題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測試示范線，應領了國內IGBT測試的技術潮流。

目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-12KV的電壓電流范圍，并在多個領域展現(xiàn)出覺對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于覺對優(yōu)勢地位。更多有關IGBT模塊測試設備的信息認準普賽斯儀表咨詢