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SE-VE光譜橢偏儀

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SE-VE光譜橢偏儀 本設(shè)備基于單旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜,可實(shí)現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學(xué)常數(shù)的快速分析表征。

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SE-VE光譜橢偏儀

  本設(shè)備基于單旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/DeltaN/C/S、反射率等光譜,可實(shí)現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學(xué)常數(shù)的快速分析表征。


1、 橢偏儀測(cè)頭規(guī)格:

1) 光譜范圍:400-800nm

2) 入射角:65°

3) 斑大?。?/font>200μm

4) 調(diào)制技術(shù):PCRSA調(diào)制技術(shù)

5) 重復(fù)性測(cè)量精度:0.01nm100nm 硅基SiO2樣件,30次重復(fù)測(cè)量

6) 膜厚測(cè)量范圍:0.1nm20μm

7) 單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間:<5s

8) 光源:高性能進(jìn)口鹵素?zé)艄庠矗u素?zé)魤勖?/font>2,000h

9) 可視化樣品顯微對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)

2、 樣品臺(tái)規(guī)格:

1) 基板尺寸:支持樣件尺寸到Ф180mm

2) Z位移行程0-10mm

3) 樣件臺(tái)俯仰角度> ±2°

 

3、 測(cè)控與分析軟件

1) 光譜測(cè)量能力:PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜反射率光譜測(cè)量

2) 數(shù)據(jù)分析能力:具備單層、多層膜厚、光學(xué)常數(shù)(折射率、消光系數(shù))分析能力

3) 支持常用光學(xué)常數(shù)模型以及常用振子模型(柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等),并支持圖形化多振子混合模型擬合功能

4) 支持多組分薄膜與體材料光學(xué)常數(shù)、組分比例分析功能; 核心算法包含嚴(yán)格耦合波模型、等效介質(zhì)模型

      5)支持用戶自定義,軟件不限制拷貝數(shù)量,支持windows10操作系統(tǒng)




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