摻釹雙包層適用于890nm-1060nm波長光纖激光器公司的摻釹硅酸鹽雙包層光纖通過控制材料的主要成分進(jìn)而使光纖效率，是一款應(yīng)用于890nm-1060nm波段光纖激光器的理想增益材料

摻釹雙包層

 適用于890nm-1060nm波長光纖激光器

公司的摻釹硅酸鹽雙包層光纖通過控制材料的主要成分進(jìn)而使光纖效率，是一款應(yīng)用于890nm-1060nm波段光纖激光器的理想增益材料。相比于其他品牌的摻釹光纖，我們的摻釹硅酸鹽雙包層光纖通過精心設(shè)計(jì)使1.06um處的自發(fā)輻射降低。此外，我們的摻釹雙包層光纖已通過各項(xiàng)指標(biāo)的常規(guī)測試，如光子暗化效應(yīng)和環(huán)境行為。

2018年，IXfiber根據(jù)客戶的需求推出了一款W型保偏摻釹雙包層光纖（IXF-2CF-Nd-PM-5-80-W）。

標(biāo)準(zhǔn)的摻釹雙包層光纖，由于其四能級特性，在1060nm波長附近呈現(xiàn)一個高增益（4F3/2->4I9/2）。該型號保偏摻釹光纖采用W型芯折射率剖面設(shè)計(jì)，通過彎曲誘導(dǎo)損耗能夠有效抑制1060nm波長附近的輻射。采用800nm附件的光源進(jìn)行泵浦時，該保偏摻釹光纖即在900nm-940nm窗口展現(xiàn)出高PER和功率轉(zhuǎn)換效率，且無殘留1060nm輻射。

對于如上雙包層摻釹光纖，我們也提供相匹配的無源光纖和（）,為客戶提供的解決方案，如下是匹配合束器產(chǎn)品：

 
產(chǎn)品特性：
主要成分優(yōu)化
高能量轉(zhuǎn)換效率和低聚集優(yōu)化
低熔接損耗
高數(shù)值孔徑，高性能包層
低背景損耗
工作波長低彎曲損耗