機(jī)電薄膜e31測(cè)試儀可用aix4PB系統(tǒng)測(cè)試。薄膜材料的機(jī)電性能是MEMS器件設(shè)計(jì)的關(guān)鍵性能，縱向壓電系數(shù)d33和橫向壓電系數(shù)e31被用于表征傳感器和執(zhí)行器的這些關(guān)鍵性能。

薄膜材料的機(jī)電性能是MEMS器件設(shè)計(jì)的關(guān)鍵性能，縱向壓電系數(shù)d33和橫向壓電系數(shù)e31被用于表征傳感器和執(zhí)行器的這些關(guān)鍵性能。
縱向壓電系數(shù)可由aixDBLI測(cè)試，而橫向壓電系數(shù)e31就可用aix4PB系統(tǒng)測(cè)試。
通過必要夾具，可以測(cè)得正向e31和逆向e31。

標(biāo)準(zhǔn)的aix4PB系統(tǒng)主要由以下部分組成：四點(diǎn)彎曲樣品夾具、TF Analyzer 2000、單光束激光測(cè)振儀。

可以進(jìn)行如下測(cè)試功能：
全部鐵電性能表征，基于TF2000系統(tǒng)，包括極化、電容、漏電流、疲勞測(cè)試。
有效橫向壓電系數(shù)的測(cè)量通過交替均勻機(jī)械力施加于樣品，并測(cè)試產(chǎn)生的電荷。
所有的測(cè)量數(shù)據(jù)也可以在附加的壓縮或拉伸靜態(tài)負(fù)載下進(jìn)行，這也覆蓋了整個(gè)壓電薄膜在整個(gè)MEMS器件中的行程。

特點(diǎn)/規(guī)格：
四點(diǎn)彎曲樣品夾具：
產(chǎn)生力的壓電執(zhí)行器
激光測(cè)振儀夾具
很容易接觸到頂部和底部的樣品電極
所有的TF2000系統(tǒng)的測(cè)試功能
遠(yuǎn)程接入和腳本控制的可選件
單光束激光干涉儀，小分辨率1nm

軟件：
Windows 7 操作系統(tǒng)
通過GPIB或以太網(wǎng)的遠(yuǎn)程接入和腳本控制
通過ODBC接口的數(shù)據(jù)庫連接
測(cè)試數(shù)據(jù)通過ASCII形式輸出
測(cè)試數(shù)據(jù)交換通過aixPlorer軟件或Resonance Analyzer