RTS-5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱雙位組合)測(cè)量新技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因而每次測(cè)量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測(cè)量都是對(duì)幾何因素的影響進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。所有這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測(cè)量方法所生產(chǎn)的儀器是無法實(shí)現(xiàn)的。
RTS-5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀軟件測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶程序，通過此測(cè)試程序輔助使用戶簡(jiǎn)便地進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試及獲得測(cè)試數(shù)據(jù)并對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
技 術(shù) 指 標(biāo) ：
測(cè)量范圍電阻率：0.0001～2000Ω.cm(可擴(kuò)展)；
方塊電阻：0.001～20000Ω/□(可擴(kuò)展)；
電導(dǎo)率：0.0005～10000s/cm；
電阻：0.0001～2000Ω；
可測(cè)晶片厚度≤3mm
可測(cè)晶片直徑
140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))；
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))；
400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；(選配)
恒流源電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±4%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤4%
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)采用雙電測(cè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，通過RTS-5雙電測(cè)測(cè)試軟件控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并實(shí)時(shí)采集兩次組合模式下的電壓值，然后根據(jù)雙電測(cè)測(cè)試原理公式計(jì)算出電阻值。儀器主機(jī)也可兼容RTS-4四探針測(cè)試軟件實(shí)現(xiàn)單電測(cè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，兩套軟件可同時(shí)使用。
軟件功能軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。
計(jì)算機(jī)通訊接口并口，高速并行采集數(shù)據(jù)。
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強(qiáng)光直射；
