NIST SRM2134硅深度剖面標準中砷植入標準品旨在用于通過二次離子質譜 (SIMS) 分析技術校準對硅基質中微量和痕量砷的二次離子響應。

NIST SRM2134硅深度剖面標準中砷植入標準品旨在用于通過二次離子質譜 (SIMS) 分析技術校準對硅基質中微量和痕量砷的二次離子響應。 SRM 2134 用于校準 SIMS 儀器在特定儀器條件下對硅基質中砷的響應。它也可以被實驗室用作校準硅中砷工作標準的轉移標準。

 SRM 2134 的一個單元由一個 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成，該襯底已被離子注入同位素 75As，標稱能量為 100 keV。 SRM 2134 經認證可用于 75As 原子的保留劑量。劑量以每單位面積的砷質量單位表示。 SIMS 提供了關于砷原子濃度隨地表以下深度變化的其他未經認證的信息。

處理：

SRM 2134 - 硅深度剖面標準中的砷植入 標準品  的植入面是拋光的反射面。該表面在包裝前已清潔。使用前，應立即使用加壓空氣除塵器從表面清除灰塵顆粒。不建議在氫氟酸中蝕刻此 SRM，因為表面氧化物可能會去除一些砷。

儲存：不使用時，NIST SRM2134硅深度剖面標準中砷植入標準品應存放在其原始托盤中，并蓋緊蓋子。

用途：

隨著連續(xù)層被離子轟擊去除，SIMS 可以通過監(jiān)測一種或多種濺射離子種類，獲得作為深度函數的材料成分信息。使用該技術時，通常使用與未知物質在同一基質中的相同物質的參考樣品校準物質的濃度值

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