PlasmaPro 800為大批量和300毫米晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝提供了一種靈活的解決方案，占地面積小，開(kāi)放式裝載系統(tǒng)。大型的晶圓壓盤(pán)允許生產(chǎn)規(guī)模的批量加工和300毫米晶圓處理。PlasmaPro 800具有460mm直徑的工作臺(tái)，擁有處理整片的300mm晶圓或大批量43 x 50mm（2”）晶圓的能力， 可提供全套量產(chǎn)解決方案。PlasmaPro 800是*的市場(chǎng)前列產(chǎn)品。

• 高性能工藝

• 準(zhǔn)確的襯底溫度控制

• 準(zhǔn)確的工藝控制

• 成熟的300mm單晶圓失效分析工藝

特征

為化合物半導(dǎo)體、光電子和光子學(xué)應(yīng)用提供了更為靈活的工藝，PlasmaPro 800 可提供：

大型電極 - 低成本

刻蝕終點(diǎn)監(jiān)測(cè) - 可靠性和可維護(hù)性俱佳

通過(guò)激光干涉儀與/或發(fā)射光譜進(jìn)行終點(diǎn)監(jiān)測(cè) - 增強(qiáng)刻蝕控制

可選擇帶有4-、8-或12-條氣路的氣柜 - 可提供靈活的工藝和工藝氣體，可以與主機(jī)分離，放置在遠(yuǎn)端服務(wù)區(qū)

近距離耦合渦輪泵 - 提供*的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度

數(shù)據(jù)記錄 - 追溯腔室的歷史狀態(tài)以及工藝條件

液體冷卻和/或電加熱電極 - 出色的電極溫度控制和穩(wěn)定性

應(yīng)用

• 使用我們的具有特殊配置的失效分析設(shè)備進(jìn)行干法刻蝕解剖工藝 —— 具有RIE和 PE兩種模式
• RIE／PE工藝涵蓋了從封裝好的芯片和裸芯片刻蝕到整片300mm晶圓刻蝕
• 高質(zhì)量沉積的PECVD SiNx和SiO2 ，適用于光子學(xué)、介電層鈍化和諸多其它領(lǐng)域
• SiO2，SiNx和石英刻蝕
• 金屬和聚酰亞胺有機(jī)物刻蝕
• 用于高亮度LED生產(chǎn)的鈍化沉積
• III-V族刻蝕工藝