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X射線衍射(XRD)法測(cè)定Ni電極材料結(jié)構(gòu)、測(cè)定方法等的研究

閱讀:629      發(fā)布時(shí)間:2017-02-13
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  通過衍射峰的半高寬和峰高比可以研究Ni電極材料粉末顆粒的微結(jié)構(gòu)特征,本文描述了應(yīng)用X射線衍射法測(cè)定Ni陽電極材料結(jié)構(gòu)、計(jì)算其衍射峰的半高寬和峰高比。求解峰高比時(shí)改進(jìn)測(cè)定方法,采用定點(diǎn)測(cè)量的方法,減小了在密封式管條件下由于計(jì)數(shù)小而產(chǎn)生很大的計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)誤差1/ ,使定量更準(zhǔn)確。從而可以更好地了解Ni電極材料的電極性能,便于建立工藝條件。

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北京普析通用儀器有限責(zé)任公司

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