下降式晶體生長爐

技術規(guī)格書

一·設備用途：

主要用于LED半導體、太陽能等工業(yè)晶體的提純、制備。

二·設備特點：

本設備采用一體化設計，立式鐘罩式結構，爐膛材料采用優(yōu)質(zhì)的氧化鋁多晶纖維真空吸附制成，節(jié)能50%，爐體采用雙層爐殼結構，雙層爐殼之間裝有風機，可以快速升降溫，爐殼表面溫度低，**整潔大方。

三·主要技術參數(shù)

1.**使用溫度：1600℃

2.控溫區(qū)：兩區(qū)（一區(qū)高溫區(qū)，一區(qū)輔助加熱區(qū)）

3.功率：                          15Kw±10%單相

4.發(fā)熱材料：硅鉬棒（高溫區(qū)）電阻絲（輔助加熱區(qū)）

5.恒溫區(qū)間：200mm（高溫區(qū)）

6.爐膛內(nèi)徑：120mm

7.測溫系統(tǒng)：                   熱電偶

8.控溫精度：                   ±1℃

9.坩堝升降：位移行程 300mm

慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）精度±0.01mm

          快速升降50-200mm/min（伺服控制）

坩堝旋轉(zhuǎn)：坩堝轉(zhuǎn)速 1~50RPM

四、結構組成

1、爐體及爐體升降機構

2、坩堝升降旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)

3、變壓器及聯(lián)接電纜

4、 溫控系統(tǒng)

五、結構說明

1、爐體及爐體升降系統(tǒng)：爐體殼體采用優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板雙層結構設計技術，殼體顏色漆經(jīng)過高溫烘烤而成，經(jīng)久耐用，爐膛采用高純氧化鋁多晶體纖維材料，分兩區(qū)***控溫，高溫區(qū)采用優(yōu)質(zhì)硅鉬棒為加熱元件，輔助溫區(qū)采用優(yōu)質(zhì)電阻絲為加熱元件，兩個溫區(qū)之間形成溫度梯度，從而保證晶體的正常生長，雙層爐殼間配有風冷系統(tǒng)，能快速對溫控系統(tǒng)降溫；該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點。爐體整體做成一個圓筒的罩式結構，與固定在支架平臺上的爐底組成一個完整的爐膛，爐體配有一升降系統(tǒng)，可是爐體**升降，方便裝卸料。

2、坩堝升降旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)：坩堝升降采用伺服控制，位移精度可達0.01毫米，控制精度高，它是由一套線性模組和伺服電機，減速機組成，旋轉(zhuǎn)機構由旋轉(zhuǎn)電機減速機組成，升降和旋轉(zhuǎn)安裝在同***臺上，組成一個完整的機構，安裝在爐底中心位置，從而帶動坩堝桿的升降與旋轉(zhuǎn)，坩堝桿的上部裝有一坩堝平臺，采用高溫陶瓷材料，經(jīng)久耐用。

3、溫控系統(tǒng)：電爐的溫度控制采用可控硅功率控制器＋低電壓大電流變壓器，可控硅功率控制器采用移相觸發(fā)方式來實現(xiàn)電壓的無級調(diào)節(jié)，從而達到自動控制功率的目的。采用宇電50段溫控儀表，控溫精度高，可根據(jù)需要設定多段升溫曲線，從而達到自動控制溫度的目的。功能強大，操作方便，具有超溫，上線***聲光**功能。控制柜面板上設有液晶觸模屏，可顯示、設定坩堝升降速度，旋轉(zhuǎn)速度、位移等，直觀顯示系統(tǒng)各部件的工作狀態(tài)，并可實時顯示記錄工況爐內(nèi)的溫度?？娠@示溫度、位移曲線，記錄保存數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)也可以刪除、導出。爐子的所有動作都有一臺PLC來完成，控制精確自動化程度高。

4、變壓器及聯(lián)接電纜：采用三相干式變壓器，聯(lián)接電纜采用銅排或軟電纜降低損耗，環(huán)保節(jié)能。